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175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。EEPROM直接采用电来重写数据,并可按字节进行擦除和再编程,从而克服了一般ROM的缺点和不足。但由于EEPROM的存储量一般不大,因此只适用于一些小容量存储的场合。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,200度内存储器厂,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度内存储器厂,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
一般地EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,**过这一极限的时候,该单元就无法再使用了。但在实际应用中,可能有些数据要反复改写。这时,可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。
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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。