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合肥启尔特石油科技有限公司
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175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
Flash 储存器的标准物理结构，称之为基本位（cell）；一般MOS闸较（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），150度高温存储器介绍，而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，存储器，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
按其制造工艺可分为
（1）双较型存储器特点：运算速度比磁芯存储器速度约快了 3个数量级，而且与双较型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。
（2）MOS晶体管存储器特点：集成度高、容量大、体积小、存取速度快、价格便宜、功耗低、维护简单。
1.位翻转错误：EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转，导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误：EEPROM存储器在写入数据时，可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误：EEPROM存储器在擦除数据时，可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。